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CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25640B-G  FRAM, 64K, SPI, 8SOIC

CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25640B-G
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제품 개요

The FM25640B-G is a 64kb Non-volatile Memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM and other non-volatile memories. Unlike serial flash and EEPROM, this memory performs write operations at bus speed. Data is written to the memory array immediately after each byte is successfully transferred to the device. The next bus cycle can commence without the need for data polling. In addition this memory offers substantial write endurance compared with other non-volatile memories.
  • No write delays are incurred
  • Very fast serial peripheral interface
  • Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
  • Sophisticated write protection scheme
  • -40 to 85°C Industrial temperature range

제품 정보

Memory Size:
64Kbit
NVRAM Memory Configuration:
8K x 8bit
Supply Voltage Min:
4.5V
Supply Voltage Max:
5.5V
Memory Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
IC Interface Type:
SPI
Access Time:
-
Operating Temperature Min:
-40°C
Operating Temperature Max:
85°C
Packaging:
Each
MSL:
MSL 1 - Unlimited
Product Range:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

유사 제품 찾기  공통 특성별 분류

애플리케이션

  • Computers & Computer Peripherals

법률 및 환경

MSL:
MSL 1 - Unlimited
원산지:
United States

최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가

RoHS 준수:
관세 번호:
85423261
무게(kg):
.000354

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