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INFINEON  BSS84PH6327XTSA2  MOSFET Transistor, P Channel, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON BSS84PH6327XTSA2
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제품 개요

The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
  • Automotive grade AEC-Q101 qualified
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -170mA
  • Power dissipation (pd) of 360mW
  • Operating temperature range -55°C to 150°C
  • Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V

제품 정보

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-170mA
Drain Source Voltage Vds:
-60V
On Resistance Rds(on):
8ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-1.5V
Power Dissipation Pd:
360mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
AEC-Q101
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

유사 제품 찾기  공통 특성별 분류

애플리케이션

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial;
  • Automotive

법률 및 환경

MSL:
-
원산지:
Malaysia

최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가

RoHS 준수:
관세 번호:
85412100
무게(kg):
.000033

대체품

MOSFET Transistor, P Channel, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON

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