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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH26N50  MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50
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제품 개요

The IXFH26N50 is a 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Low inductance offers easy to drive and protect
  • Fast intrinsic rectifier
  • Space-saving s
  • High power density

제품 정보

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
26A
Drain Source Voltage Vds:
500V
On Resistance Rds(on):
0.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
4V
Power Dissipation Pd:
300W
Transistor Case Style:
TO-247
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

유사 제품 찾기  공통 특성별 분류

애플리케이션

  • Power Management;
  • Industrial

법률 및 환경

MSL:
-
원산지:
Germany

최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가

RoHS 준수:
관세 번호:
85412900
무게(kg):
.006

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