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SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

2400360

VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

MOSFET, P CH, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipation Pd:2.5W; Trans

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    SI1317DL-T1-GE3
    SI1317DL-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    2056676

    VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 1.4A, SOT323; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:450mV; Power Dissipation Pd:500mW

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    SIA437DJ-T1-GE3
    SIA437DJ-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2364068

    VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, -29.7 A, -20 V, 0.012 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, P-CH, 20V, 29.7A, POWERPAKSC70-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-29.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV; Power Dissipation Pd

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    SI2323DDS-T1-GE3
    SI2323DDS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    2646365

    VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V

    MOSFET, P-CH, -20V, -5.3A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:1.7W; Tran

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    리릴

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    SI2302DDS-T1-GE3
    SI2302DDS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

    2400359

    VISHAY - MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

    MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipation Pd:710mW; Transist

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    SI7149ADP-T1-GE3
    SI7149ADP-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    2646390

    VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V

    MOSFET, P-CH, -30V, -50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V; Power Dissipation Pd:48W;

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    SI5403DC-T1-GE3
    SI5403DC-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    2646386

    VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V

    MOSFET, P-CH, -30V, 6A, CHIFFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:6.3W; Transistor

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    SI4403CDY-T1-GE3
    SI4403CDY-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    2056683

    VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 13.4A, SO8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV; Power Dissipation Pd:5W;

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    SI4288DY-T1-GE3
    SI4288DY-T1-GE3 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    2056718

    VISHAY - Dual MOSFET, Dual N Channel, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

    MOSFET, NN CH, W/D, 40V, 9.2A, SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:9.2A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V; Power Dissipation Pd:3.1W;

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    SI4936CDY-T1-GE3
    SI4936CDY-T1-GE3 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    1779274

    VISHAY - Dual MOSFET, Dual N Channel, 5.8 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:2.3W; Transist

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