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C3D10060A
C3D10060A - Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 600 V, 29.5 A, 25 nC, TO-220

1716949

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 600 V, 29.5 A, 25 nC, TO-220

Product Range:-; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Continuous Forward Current If:29.5A; Total Capacitive Charge Qc:25nC; Diode Case Style:TO-220; No. of Pins:2 Pin; Junction Temperature Tj Max:175°C; Automotive Qualifi

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IXA12IF1200PB
IXA12IF1200PB - IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

1829715

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

IGBT,1200V,20A,TO-220; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V; Power Dissipation Pd:85W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Pr

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C3D04060A
C3D04060A - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Single, 600 V, 7.5 A, 8.5 nC, TO-220

1716942

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Single, 600 V, 7.5 A, 8.5 nC, TO-220

Product Range:Z-Rec 600V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Continuous Forward Current If:7.5A; Total Capacitive Charge Qc:8.5nC; Diode Case Style:TO-220; No. of Pins:2 Pin; Junction Temperature Tj Max:175°C; Au

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C3D20060D
C3D20060D - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Dual Common Cathode, 600 V, 59 A, 50 nC

1716951

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Dual Common Cathode, 600 V, 59 A, 50 nC

Product Range:Z-Rec 600V Series; Diode Configuration:Dual Common Cathode; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Continuous Forward Current If:59A; Total Capacitive Charge Qc:50nC; Diode Case Style:TO-247; No. of Pins:3 Pin; Junction Temperature Tj Ma

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1+ ₩11,327

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C3D06060A
C3D06060A - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Single, 600 V, 8.5 A, 16 nC, TO-220

1716945

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Single, 600 V, 8.5 A, 16 nC, TO-220

SIC SCHOTTKY DIODE, 6A, 600V TO-220; Product Range:Z-Rec 600V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Continuous Forward Current If:19A; Total Capacitive Charge Qc:16nC; Diode Case Style:TO-220

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IPD60R380C6ATMA1
IPD60R380C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

1860805

INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:83W; Transistor Cas

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IXA20I1200PB
IXA20I1200PB - IGBT Single Transistor, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

1829719

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

IGBT,1200V,33A,TO-220; DC Collector Current:33A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; P

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IXGP20N120A3
IXGP20N120A3 - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

1829736

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

IGBT,1200V,20A,TO-220AB; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C;

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IXA33IF1200HB
IXA33IF1200HB - IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

1829722

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

IGBT,1200V,58A,TO-247; DC Collector Current:58A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; P

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IXGH30N60C3C1
IXGH30N60C3C1 - Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

1829731

IXYS SEMICONDUCTOR - Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

IGBT,600V,30A,TO-247; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product

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IPP60R160C6XKSA1
IPP60R160C6XKSA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

1860825

INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

MOSFET,N CH,600V,23.8A,TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23.8A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:176W; Transistor Ca

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1+ ₩3,928 10+ ₩3,342 100+ ₩2,896 250+ ₩2,743 500+ ₩2,462

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IXGA30N120B3
IXGA30N120B3 - IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins

1829739

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins

IGBT,1200V,30A,TO-263; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.5V; Power Dissipation Pd:300W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Pro

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1+ ₩7,926 10+ ₩7,070 25+ ₩6,366 50+ ₩6,074 100+ ₩5,804 250+ ₩5,229 가격 더 알아보기

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IXGH20N120A3
IXGH20N120A3 - Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

1829738

IXYS SEMICONDUCTOR - Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

IGBT,1200V,20A,TO-247; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; P

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1+ ₩7,915 10+ ₩7,070 25+ ₩6,179

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5KP30A.
5KP30A. - TVS DIODE, 5KW, 30V, P600

1677432

LITTELFUSE - TVS DIODE, 5KW, 30V, P600

TVS DIODE, 5KW, 30V, P600; TVS POLARITY:; TVS DIODE, 5KW, 30V, P600; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:30V; Breakdown Voltage Min:33.3V; Breakdown Voltage Max:36.8V; Clamping Voltage Vc Max:48.4V; Peak Pulse Current Ippm:105.4A;

  • 4 - 5 영업일 배송용 재고 745
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  • 4 - 5 영업일 배송용 재고 745개: 오후 4시 이전 주문(월요일 – 금요일, 공휴일 제외)

재고가 소진될 때까지 주문 가능

1+ ₩3,272 10+ ₩2,649 100+ ₩2,111 500+ ₩1,876 800+ ₩1,489

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Min: 1 Mult: 1
C3D02060E
C3D02060E - Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 600 V, 4 A, 4.8 nC, TO-252

1716939

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 600 V, 4 A, 4.8 nC, TO-252

DIODE, SCHOTTKY, 600V, 2A, TO-252; Product Range:-; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Continuous Forward Current If:4A; Total Capacitive Charge Qc:4.8nC; Diode Case Style:TO-252; No. of Pins:2 Pin; Junction Temperature

  • 4 - 5 영업일 배송용 재고 9,934
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  • 4 - 5 영업일 배송용 재고 9,934개: 오후 4시 이전 주문(월요일 – 금요일, 공휴일 제외)

재고가 소진될 때까지 주문 가능

10+ ₩938

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Min: 10 Mult: 10
C3D02060A
C3D02060A - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Single, 600 V, 4 A, 4.8 nC, TO-220

1716938

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 600V Series, Single, 600 V, 4 A, 4.8 nC, TO-220

DIODE, SCHOTT, 600V, 2.4A, TO-220-2; Product Range:Z-Rec 600V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Continuous Forward Current If:4A; Total Capacitive Charge Qc:4.8nC; Diode Case Style:TO-220; No. of Pins:2 Pin; Ju

  • 4 - 5 영업일 배송용 재고 73
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  • 4 - 5 영업일 배송용 재고 73개: 오후 4시 이전 주문(월요일 – 금요일, 공휴일 제외)

재고가 소진될 때까지 주문 가능

1+ ₩1,126 100+ ₩938

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IXA12IF1200HB
IXA12IF1200HB - IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

1829714

IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

IGBT,1200V,20A,TO-247; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V; Power Dissipation Pd:85W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Pr

배송 대기 중 (표시된 리드 시간에 이월 주문 가능)

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추가 재고는 19. 12. 16일에 시작하는 주에 입고 예정 재고 확보 시 알림

1+ ₩6,671 10+ ₩5,956 25+ ₩5,206 50+ ₩4,960 100+ ₩4,889 250+ ₩4,409 500+ ₩3,471 가격 더 알아보기

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Min: 1 Mult: 1
IPB60R380C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

1860812

INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:83W; Transistor Cas

더 이상 재고 없음

IPD60R950C6ATMA1
IPD60R950C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

1860802

INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

MOSFET,N CH,600V,8.1A,TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.86ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:37W; Transistor Case

더 이상 재고 없음

C2D10120A
C2D10120A - Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 14.5 A, 61 nC, TO-220

1716935

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 14.5 A, 61 nC, TO-220

DIODE, SCHOTTKY, 1200V, 10A, TO220-2; Product Range:-; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.2kV; Continuous Forward Current If:14.5A; Total Capacitive Charge Qc:61nC; Diode Case Style:TO-220; No. of Pins:2 Pin; Junction Tempe

더 이상 제조되지 않음

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Min: 1 Mult: 1
C2D05120A
C2D05120A - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 1200V Series, Single, 1.2 kV, 8.5 A, 28 nC, TO-220

1716934

WOLFSPEED - Silicon Carbide Schottky Diode, Z-Rec 1200V Series, Single, 1.2 kV, 8.5 A, 28 nC, TO-220

DIODE, SCHOTTKY, 1200V, 5A, TO220-2; Product Range:Z-Rec 1200V Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.2kV; Continuous Forward Current If:8.5A; Total Capacitive Charge Qc:28nC; Diode Case Style:TO-220; No. of Pins:2 Pin;

더 이상 제조되지 않음

IPB60R950C6ATMA1
IPB60R950C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

1860809

INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

MOSFET,N CH,600V,4.4A,TO263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.86ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:37W; Transistor Case

더 이상 제조되지 않음