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NDT2955
NDT2955 - MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -60 V, 0.3 ohm, -10 V, 2.6 V

9846271

ON SEMICONDUCTOR - MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -60 V, 0.3 ohm, -10 V, 2.6 V

MOSFET, P CH,-60V,-2.5A, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.5A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:2.6V; Power Dissipation Pd:3W; Transisto

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    IRG4PC40UDPBF
    IRG4PC40UDPBF - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins

    8650551

    INFINEON - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins

    IGBT, 600V, 40A, TO-247AC; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C

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    FGA25N120ANTDTU
    FGA25N120ANTDTU - IGBT Single Transistor, 50 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pins

    1095025

    ON SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 50 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pins

    IGBT, NPT, 1200V, 50A, TO-3PN; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Power Dissipation Pd:312W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150

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    IXA12IF1200PB
    IXA12IF1200PB - IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

    1829715

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

    IGBT,1200V,20A,TO-220; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V; Power Dissipation Pd:85W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Pr

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    STD4NK60ZT4
    STD4NK60ZT4 - MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 V

    1291961

    STMICROELECTRONICS - MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 V

    MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.3V; Power Dissipation Pd:70W; Transistor Case Style:TO-252;

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    SUP90P06-09L-E3
    SUP90P06-09L-E3 - MOSFET Transistor, P Channel, 90 A, -60 V, 0.0074 ohm, -10 V, -1 V

    1684069

    VISHAY - MOSFET Transistor, P Channel, 90 A, -60 V, 0.0074 ohm, -10 V, -1 V

    MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.0074ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.4W; Transistor Case Style:

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    ZVN4306A
    ZVN4306A - MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 60 V, 0.45 ohm, 10 V, 3 V

    9524924

    DIODES INC. - MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 60 V, 0.45 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET, N, LOGIC, E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.1A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:850mW; Transistor Case St

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    5+ ₩1,489 100+ ₩1,150 500+ ₩1,016

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    BSM25GD120DN2
    BSM25GD120DN2 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK

    1496948

    INFINEON - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK

    IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:EconoPACK; No. of Pins:17

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    1+ ₩125,028

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    IPD60R380C6ATMA1
    IPD60R380C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

    1860805

    INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:83W; Transistor Cas

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    IKW30N60TFKSA1
    IKW30N60TFKSA1 - IGBT Single Transistor, General Purpose, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    1471748

    INFINEON - IGBT Single Transistor, General Purpose, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    IGBT, N, 600V, 30A, TO-247; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.05V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C

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    IXA20I1200PB
    IXA20I1200PB - IGBT Single Transistor, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

    1829719

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

    IGBT,1200V,33A,TO-220; DC Collector Current:33A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; P

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    IXFK48N50
    IXFK48N50 - MOSFET Transistor, N Channel, 48 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V

    9359176

    IXYS SEMICONDUCTOR - MOSFET Transistor, N Channel, 48 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V

    MOSFET, N, TO-264; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:500W; Transistor Case Style:TO-26

    • 3 - 4 영업일 배송용 재고 350
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    Min: 1 Mult: 1
    IRG4PC40SPBF
    IRG4PC40SPBF - IGBT Single Transistor, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins

    8650543

    INFINEON - IGBT Single Transistor, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins

    IGBT, 600V, 60A, TO-247AC; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C

    • 3 - 4 영업일 배송용 재고 156
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    1+ ₩5,359 10+ ₩4,550 100+ ₩3,951 250+ ₩3,740 500+ ₩3,366

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    Min: 1 Mult: 1
    IRFP250PBF
    IRFP250PBF - MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 200 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V

    8649278

    VISHAY - MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 200 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V

    MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:180W; Transistor C

    • 3 - 4 영업일 배송용 재고 438
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    1+ ₩4,310 25+ ₩3,466 100+ ₩3,159 500+ ₩2,558 1000+ ₩2,158 2500+ ₩2,050 5000+ ₩1,972 가격 더 알아보기

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    Min: 1 Mult: 1
    IRG4BC40UPBF
    IRG4BC40UPBF - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins

    9104992

    INFINEON - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins

    IGBT, TO-220; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Ran

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    Min: 1 Mult: 1
    IGW30N60TFKSA1
    IGW30N60TFKSA1 - IGBT Single Transistor, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    1832354

    INFINEON - IGBT Single Transistor, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    IGBT,600V,30A,TO247; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.05V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Produ

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    1+ ₩4,397 10+ ₩3,729 100+ ₩3,236 250+ ₩3,072 500+ ₩2,756

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    Min: 1 Mult: 1
    SPA11N60C3XKSA1
    SPA11N60C3XKSA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

    1471770

    INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET, N, 600V, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:33W; Transistor Case Styl

    • 3 - 4 영업일 배송용 재고 524
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    Min: 1 Mult: 1
    IRGP4063DPBF
    IRGP4063DPBF - IGBT Single Transistor, 96 A, 2.14 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins

    1498188

    INFINEON - IGBT Single Transistor, 96 A, 2.14 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins

    TRENCH IGBT, 600V, ULTRA FAST; DC Collector Current:96A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.14V; Power Dissipation Pd:330W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:

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    Min: 1 Mult: 1
    IXGP20N120A3
    IXGP20N120A3 - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

    1829736

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins

    IGBT,1200V,20A,TO-220AB; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C;

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    SIHB22N60E-GE3 - MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

    2079772

    VISHAY - MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

    MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:227W; Transistor Ca

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    HGTG20N60B3..
    HGTG20N60B3.. - IGBT Single Transistor, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    1838983

    ON SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    IGBT,N CH,600V,40A,TO-247; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:165W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Pr

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    IXGA30N120B3 - IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins

    1829739

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Single Transistor, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pins

    IGBT,1200V,30A,TO-263; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.5V; Power Dissipation Pd:300W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Pro

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    IXGH30N60C3C1
    IXGH30N60C3C1 - Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    1829731

    IXYS SEMICONDUCTOR - Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

    IGBT,600V,30A,TO-247; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product

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    SIHG47N60E-E3
    SIHG47N60E-E3 - MOSFET Transistor, N Channel, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V

    2079780

    VISHAY - MOSFET Transistor, N Channel, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V

    MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation Pd:357W; Transis

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    IPP60R160C6XKSA1
    IPP60R160C6XKSA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

    1860825

    INFINEON - MOSFET Transistor, N Channel, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

    MOSFET,N CH,600V,23.8A,TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23.8A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:176W; Transistor Ca

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