Infineon

Infineon CoolMOS™ 시리즈 전력 MOSFET

CoolMOS™ Power MOSFETS - 최고 수준의 가격 대비 성능

  • 스위칭 및 전도손실 대폭 감소
  • 높은 전력 밀도 및 효율 활성화
  • 최고 수준의 가격 대비 성능
Industrial Motor Drive Solution

제품 설명

650V CoolMOS™ C7

인피니언의 신형 650V CoolMOS™ C7 시리즈는 PFC(power factor correction) 및 그와 유사한 애플리케이션에서 새로운 수준의 성능을 하드-스위칭 토폴로지에 제공한다. 이들 신형 디바이스들은 CP 시리즈의 후속 제품으로 많은 주요 파라미터들에 대해 균형을 맞춤으로써 전체 부하 범위에 대해 효율을 증대시킨다.

시리즈가 제공하는 최상의 RDS(on) 특성은 전체 부하 효율을 증대시켜 TO-220 패키지로 제공되는 검증된 BiC CoolMOS™ P6 디바이스의 성능을 향상시키면서 TO-247 패키지 분야에 대해 명확한 선도력을 구축한다. 감소된 EOSS 특성은 경부하 조건에서 효율을 향상시키며, 낮은 Qg는 스위칭 속도를 증대시키고 Eon 및 Eoff를 감소시켜 전체 부하 범위에 대한 효율을 개선한다.

CoolMOS™ C7 시리즈는 최상의 성능을 제공하기 위해서 다양한 파라미터들에 대해 균형을 달성하였을 뿐만 아니라 CoolMOS™ CP 시리즈보다 구현 및 사용이 보다 간편하다. 650V는 설계자들에게 추가적인 안전 마진을 제공하며, 새로운 시리즈를 SMPS 및 태양열 인버터에 최적화시킨다. 신형 CoolMOS™ C7 시리즈는 12년의 제조 경험을 활용하여 인피니언의 탁월한 품질을 지속적으로 제공한다.

600V CoolMOS™ P6

신형 CoolMOS™ P6 시리즈는 선도적인 SJ MOSFET 공급업체로서 인피니언의 전문기술을 에너지 효율 분야에 대한 자사의 혁신적인 강점과 통합하고 있습니다. 결과적으로 P6 기술은 사용이 간편하면서도 이와 동시에 하드 및 소프트 스위칭 토폴리지(예를 들어, PFC, LLC)에서 탁월한 성능 수준을 보장합니다.

P6은 특히 경부하 조건에서 매우 낮은 도전 및 스위칭 손실 특성을 달성합니다. 이것은 스위칭 애플리케이션이 보다 효과적으로 동작하도록 지원하며, 설계자들이 보다 콤팩트하고 가벼우면서 탁월한 냉각 특성을 가진 기기를 개발할 수 있도록 지원합니다.

우수한 포트폴리오 덕분에 P6는 또한 서버, PC 전력공급기, 통신용 렉티파이어, 소비가전 애플리케이션 등과 같은 애플리케이션의 특수한 요구사항들을 지원하면서 현재 시장에서 제공 가능한 최고의 가격대성능비를 제공합니다.

어플리케이션

C7: 통신,서버,태양열 시스템, UPS

P6: 서버, 통신용 렉티파이어, PC 실버박스, 게임 콘솔 등을 위한 PFC 단
서버, 통신용 렉티파이어, PC 실버박스, 게임 콘솔 등을 위한 PWM 단(TTF, LLC, ZVS)

C7 특징

  • 안전 마진 향상; SMPS와 태양열 인버터 애플리케이션 모두에 대해 최적화
  • 최저 도전 손실/패키지
  • 낮은 스위칭 손실 특성
  • 경부하 효율 향상

P6 특징

  • 최적화된 통합 Rg
  • 50V/ns에서 100V/ns로 향상된 dvt/dt 특성
  • 초접합 기술 제조에 대한 12년 이상의 경험을 통한 CoolMOS™ 품질

제품 시리즈

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선택한 품목 비교 제조업체 부품 번호 주문 코드 제조업체 / 설명
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IPW65R190C7XKSA1
IPW65R190C7XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Through Hole

2420511

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Through Hole

INFINEON

MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.404ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:72W; Transist

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    IPP65R125C7XKSA1
    IPP65R125C7XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Through Hole

    2420507

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 18A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:101W; Transist

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    IPP60R380P6XKSA1
    IPP60R380P6XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-220, Through Hole

    2420498

    Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-220, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 600V, 10.6A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.342ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:83W; Transi

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    IPP65R190C7FKSA1
    IPP65R190C7FKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-220, Through Hole

    2420494

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-220, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 13A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.168ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:72W; Transist

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    IPW65R095C7XKSA1
    IPW65R095C7XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole

    2420506

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:128W; Transis

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    IPW65R045C7FKSA1
    IPW65R045C7FKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Through Hole

    2420493

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 46A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:227W; Transist

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    IPA60R380P6XKSA1
    IPA60R380P6XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-220FP, Through Hole

    2420501

    Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-220FP, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 600V, 10.6A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.342ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:31W; Tran

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    IPW65R019C7FKSA1
    IPW65R019C7FKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Through Hole

    2420490

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 75A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:446W; Transis

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    IPD65R225C7ATMA1
    IPD65R225C7ATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

    2420495

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.199ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:63W; Transist

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    IPD65R190C7ATMA1
    IPD65R190C7ATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

    2420492

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 13A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.168ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:72W; Transist

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    IPP60R190P6XKSA1
    IPP60R190P6XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole

    2420500

    Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.171ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:151W; Trans

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    IPA60R190P6XKSA1
    IPA60R190P6XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Through Hole

    2420503

    Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.171ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:34W; Tran

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    IPW60R190P6FKSA1
    IPW60R190P6FKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Through Hole

    2420505

    Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.171ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:151W; Trans

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    IPA65R190C7XKSA1
    IPA65R190C7XKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Through Hole

    2420509

    Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Through Hole

    INFINEON

    MOSFET, N-CH, 650V, 8A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.168ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipation Pd:30W; Transist

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    C7
    P6