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IPD30N10S3L34ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩900 |
| 50+ | ₩762 |
| 100+ | ₩670 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD30N10S3L34ATMA1
주문 코드2432729
AKAIPD30N10S3L-34, SP000261248
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation57W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IPD30N10S3L-34 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
애플리케이션
Power Management, Lighting, Automotive
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00059