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BSH105,215
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH105,215
주문 코드1758066RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.05A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max570mV
Power Dissipation417mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSH105,215 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in a plastic package using vertical D-MOS technology. Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Low threshold voltage
애플리케이션
Industrial, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.05A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
417mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
570mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
BSH105,215의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006