Wide Bandgap onsemi™
와이드 밴드갭 기술 - 메가 트렌드 애플리케이션 지원
실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN) 게이트 드라이버는 고성능 전력 변환 및 전기 차량을 위한 차세대 소재입니다.
onsemi의 차세대 와이드 밴드 갭 포트폴리오
와이드 밴드 갭(WBG) 소재는 차량 전기화, 태양광 및 풍력, 클라우드 컴퓨팅, EV(전기 차량) 충전, 5G 통신 등의 분야에서 고성능 미래 애플리케이션을 구동할 것입니다. onsemi는 와이드 밴드 갭(WBG) 전력 기술 채택을 앞당기기 위한 보편적 표준 개발에 기여하고 있습니다.
와이드 밴드 갭 기술은 다음과 같은 고급 기능을 제공합니다.
- 더 빠른 스위칭
- 더 낮은 전력 손실
- 증가한 전력 밀도
- 더 높은 작동 온도
설계 니즈에 맞춘 조정
- 고효율성
- 컴팩트한 솔루션
- 더 가벼운 무게
- 시스템 비용 감소
- 신뢰도 증가
응용 분야
- 태양광 및 풍력
- 차량 전기화
- 모터 구동
- 클라우드 컴퓨팅
- EV 충전
- 5G 통신
전체 포트폴리오
- 650V, 900V, 1200V SiC MOSFET
- 650V, 1200V, 1700V SiC 다이오드
- SiC, GaN, 및 갈바닉 방식 절연 고전류 게이트 드라이버
- SiC 전력 모듈
- SiC 코팩 다이오드가 탑재된 자동차 IGBT
다이오드 제품군
onsemi의 실리콘 카바이드(SiC) 다이오드 제품군에는 자동차 및 산업 애플리케이션용으로 특별 제작, 인증된 AEC-Q101 인증, PPAP 지원 옵션이 포함됩니다. 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드는 실리콘에 탁월한 스위칭 성능과 더 높은 신뢰도를 제공하는 완전히 새로운 기술을 사용합니다.
IGBT 제품군
새로운 필드 스톱 4세대 IGBT 기술을 사용하는 onsemi IGBT 제품군은 다양한 애플리케이션에서 고효율 작동을 위한 낮은 전도 및 스위칭 손실로 최적의 성능을 제공합니다.
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모듈 제품군
SiC 모듈에는 SiC MOSFET과 SiC 다이오드가 포함됩니다. 부스트 모듈은 태양광 인버터의 DC-DC 단계에 사용됩니다. 이러한 모듈은 1200V 전압 등급의 SiC MOSFET 및 SiC 다이오드를 사용합니다.
Si/SiC 하이브리드 모듈에는 IGBT, 실리콘 다이오드, SiC 다이오드가 포함됩니다. 이들 모듈은 태양광 인버터의 DC-AC 단계, 에너지 저장 시스템, 무정전 전원공급장치에 사용됩니다.
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MOSFET 제품군
onsemi의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군은 빠르고 견고하게 설계되었습니다. 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET는 절연 파괴 전계 강도가 10배, 전자 포화 속도 3배, 에너지 밴드 갭 3배, 전도성이 3배입니다.
드라이버 제품군
onsemi의 게이트 드라이버 포트폴리오에는 스위칭 애플리케이션에 이상적인 GaN 게이트 드라이버, IGBT, FET, MOSFET, H-Bridge MOSFET, SiC MOSFET 인버팅(inverting) 및 비인버팅(non-inverting) 드라이버가 포함됩니다. onsemi 게이트 드라이버는 시스템 효율성과 신뢰성이 높은 특징과 이점을 제공합니다.
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GaN 제품군
특수한 애플리케이션의 요건을 충족하는 onsemi의 게이트 드라이버의 최적 성능 특성에는 자동차 전원공급장치, HEV/EV 트랙션 인버터, EV 충전기, 공진형 컨버터, 하프 브리지 및 풀 브리지 컨버터, 능동 클램프 플라이백 컨버터, 토템 폴 등이 포함됩니다.
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