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NST3906DXV6T1G
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 40 V, 200 mA
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NST3906DXV6T1G
주문 코드2728021RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo-40V
Collector Emitter Voltage Max NPN-
DC Collector Current200mA
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN-
Power Dissipation Pd357mW
Continuous Collector Current PNP200mA
DC Current Gain hFE30hFE
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP357mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP30hFE
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP250MHz
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Power Dissipation Pd
357mW
DC Current Gain hFE
30hFE
Power Dissipation PNP
357mW
DC Current Gain hFE Min PNP
30hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
250MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
-40V
DC Collector Current
200mA
Continuous Collector Current NPN
-
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-563
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003