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RQ3P045ATTB1
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 14.5 A, 0.086 ohm, HSMT, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RQ3P045ATTB1
주문 코드4158113
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14.5A
Drain Source On State Resistance0.086ohm
Transistor Case StyleHSMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation20W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
14.5A
Transistor Case Style
HSMT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.086ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001