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STF6N65M2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Through Hole
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|---|---|
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| 10+ | ₩1,602 |
| 100+ | ₩1,289 |
| 500+ | ₩1,220 |
| 1000+ | ₩1,062 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STF6N65M2
주문 코드2460388
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation20W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The STF6N65M2 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Due to their strip layout and improved vertical structure, the device exhibits low ON-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% Avalanche tested
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002