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CSD23202W10T
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Surface Mount
제품 정보
제조업체 부품 번호CSD23202W10T
주문 코드3125067RL
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleDSBGA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
제품 개요
The CSD23202W10T is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in a small 1 × 1mm outline. It has excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low profile 0.62mm height
- 3kV Gate ESD protection
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Safety, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
DSBGA
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005