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IRFB9N65APBF
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFB9N65APBF
주문 코드3772673
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance0.93ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
IRFB9N65APBF의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.93ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536