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SI3122DV-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.34 A, 0.16 ohm, TSOP, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 53주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩435 |
| 500+ | ₩342 |
| 1000+ | ₩266 |
| 5000+ | ₩227 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 100
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₩43,500
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI3122DV-T1-GE3
주문 코드4349348RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.34A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.34W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.34A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000013