페이지 인쇄
SI4850EY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4850EY-T1-E3
주문 코드1470121RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI4850EY-T1-E3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI4850EY-T1-E3의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00026