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SI7898DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 3 A, 0.085 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7898DP-T1-GE3
주문 코드1794797RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI7898DP-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC power supply primary side switch and industrial motor driver applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000145