CoolSiC™ MOSFET 세대 2
차세대 고성능 시스템 강화
차세대 고성능 시스템 강화
새로운 CoolSiC™ MOSFET G2 트렌치 MOSFET이 AC-DC, DC-DC, DC-AC 등 모든 일반적인 전력 구성 방식에서 최고 품질 표준을 충족하는 동시에 새로운 차원의 SiC 성능을 구현하는 방법을 알아보세요. 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, EV 충전, 전원공급장치, 모터 드라이브 등은 Si 대안과 비교할 때 MOSFET이 추가 성능을 제공하는 많은 사례 중 하나입니다.
특징:
- 400V/650V/1,200V CoolSiC MOSFET G2
- 사용 가능한 가장 낮은 RDS(on)
- 가장 큰 제품 포트폴리오
- 독특한 견고성
처리되는 전력에 대해 최고의 에너지 효율
전력 손실은 중요합니다. 새로운 CoolSiC™ MOSFET G2 트렌치 기술이 AC/DC, DC/DC, DC/AC 전력 체계에 사용되는 일반적인 토폴로지에서 전력 공급을 어떻게 개선하는지 알아보세요. 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 MOSFET 작동의 주요 성능 지표가 이전 세대에 비해 20% 이상 향상되었습니다. 고속 스위칭 기능, 즉 SiC MOSFET의 특징적인 기능도 역시 30% 이상 향상되었습니다. 결과적으로 G2는 태양광 인버터, 에너지 저장 설비, EV 충전, UPS 등의 모든 작동 모드에서 전력 손실이 더 낮은 상태로 작동합니다. 3상 전원 체계를 예로 든다면, 이전 세대와 비교하여 1,200V CoolSiC™ G2는 부하 조건에 따라 전력 손실이 5-30% 더 낮으며 현장에서 처리되는 모든 전력에 대해 에너지를 절약할 수 있습니다.
Infineon의 고유한 .XT 상호 연결 기술(예: 개별 하우징 TO-263-7, TO-247-4)의 발전은 열 성능을 유지하면서 반도체 칩 성능을 향상시켜야 하는 일반적인 과제를 극복하는 데 도움이 됩니다. 이제 차세대 제품의 열 성능이 12% 향상되어 칩 성능 지표가 새로운 수준의 SiC 성능으로 향상되었습니다.
주어진 폼 팩터에서 전력에 대한 기대치 향상
SiC의 장점 결합: 소형 폼 팩터에서 낮은 전력 손실. SiC MOSFET의 온 저항이 낮을수록 전도 손실도 낮아져 에너지 효율성, 전력 밀도가 향상되며 부품 수가 감소합니다. CoolSiC™ G2 MOSFET 포트폴리오는 SiC MOSFET 시장에서 가장 낮은 Rdson을 제공합니다. SMD 패키지에 동급 최고의 제품이 도입되어 TO263-7 폼 팩터에서 650V의 7mΩ 정격, 1,200V의 8mΩ 정격을 사용할 수 있습니다. .XT를 사용한 개선된 패키지 상호 연결로 인해 열 저항이 낮아지고 출력 전력이 높아지며 작동 온도가 낮아집니다. SMD 폼 팩터에서 제공할 수 있는 전력은 60% 이상 증가하며 전력 변환 체계에서 전력 밀도의 기준을 높입니다.
SiC 성능 활용의 새로운 기준 제시
SiC에 투자된 비용 효과를 극대화합니다. 장시간의 현장 운영에서 최고의 성능을 발휘하려면 CoolSiC™ MOSFET G2 제품의 일련의 견고성을 살펴보세요. 이제 시스템 설계자는 1,200V 포트폴리오 150°C에서 최대 온저항 데이터시트 사양의 이점을 누릴 수 있습니다. SiC MOSFET 기능은 공칭 작동 중 고온에서 분포의 불확실성으로 인한 추가 마진을 고려할 필요가 없을 때 충분히 활용할 수 있습니다. 최대 200°C 가상 접합 온도까지의 과부하 작동 기능은 1,200V CoolSiC™ MOSFET G2 데이터시트에 포함되어 있으며 TO-263-7 패키지에 처음으로 도입되었습니다. 전력망의 변동 등으로 인한 과부하 이벤트에 대처하기 위해 시스템 설계자는 이전 세대에 비해 더 높은 출력 전류를 설계하거나 냉각 노력을 줄일 수 있습니다. 데이터시트 수준에서 지정된 아발란체 견고성은 이러한 과전류 이벤트에 대한 시스템 설계 노력을 더욱 완화합니다. CoolSiC™ MOSFET G2 제품의 데이터시트 사양은 원치 않는 턴온 이벤트에 대한 강력한 내성, 하드 정류 중 견고한 바디 다이오드 작동 및 단락 기능을 지원합니다.
CoolSiC™는 Infineon의 품질 리더십을 보여주는 또 다른 좋은 예입니다
모든 최신 실리콘 전력 장치는 트렌치 기반이며 평면 기술을 대체했습니다. 그렇다면 실리콘 카바이드는 어떨까요? SiC의 경우 트렌치 설계에 의한 성능 이점 측면에서 실리콘 전력 MOSFET 기술의 진화와 많은 유사점이 있습니다. SiC의 트렌치 설계에는 신뢰성이라는 또 다른 놀라운 이점이 있습니다. 수직 인터페이스는 SiC 소재의 측면 인터페이스에 비해 훨씬 낮은 결함 밀도를 보여줍니다. 이는 성능 및 견고성 특성을 신뢰성과 일치시키기 위한 새로운 최적화 가능성을 열어줍니다. 신뢰성은 Infineon의 모든 전력 장치 개발의 기본이며 CoolSiC™ MOSFET G2 트렌치 기술은 높은 G1 신뢰성을 유지합니다. 판매된 모든 CoolSiC™ MOSFET G1, 이산 소자 및 모듈 산업 등급을 기반으로 한 DPM(백만 개당 결함 수) 데이터는 SiC에 대한 제품 반품이 매우 성숙한 기술인 실리콘 기반 전원 스위치보다 훨씬 낮다는 것을 보여줍니다. 또한 Infineon은 애플리케이션 수명 테스트 분야를 개척해 왔으며 현재 일부 테스트는 JEDEC 표준에 포함되어 있습니다. CoolSiC™ 트렌치 MOSFET 설계는 현재와 미래의 에너지 효율성을 위한 지속 가능한 경쟁력을 견인합니다.
Infineon의 CoolSiC™ 제품 카테고리: 가장 적합한 제품 찾기
Infineon은 트렌치 기술의 혁신적인 CoolSiC™ MOSFET을 포함한 SiC 기반 제품을 기존의 Si 제품군에 지속적으로 추가했습니다. 오늘날 이 회사는 초저압부터 고전압 전력 장치에 이르기까지 업계에서 가장 포괄적인 전력 포트폴리오 중 하나를 제공합니다. 가장 적합한 솔루션의 가용성을 보장하는 것 외에도 특수한 애플리케이션 요구 사항을 충족하도록 SiC 기반 제품 제공을 최적화하기 위해 더 많은 노력을 기울였습니다.
CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2
The CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 26 mΩ G2 in a D2PAK-7L (TO-263-7) package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 IMBG120R026M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R234M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R008M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R053M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
|
 IMBG120R017M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R116M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
|
 IMBG120R012M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R181M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R078M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R040M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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 IMBG120R022M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 | TO-263-7 |
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The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 20 mΩ G2 in a TO-247-3
package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 IMW65R020M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V | PG-TO247-3 |
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 IMZA65R020M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V | PG-TO247-4 |
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 IMZA65R040M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V | PG-TO247-4 |
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 IMBG65R015M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO263-7 |
|
 IMBG65R007M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO263-7 |
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 IMBG65R040M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO263-7 |
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 IMBG65R020M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO263-7 |
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 IMBG65R050M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO263-7 |
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 IMZA65R050M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO247-4 |
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IMZA65R050M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO247-4 |
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 IMW65R050M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO247-3 |
|
 IMW65R040M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO247-3 |
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 IMW65R015M2H | CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 | PG-TO247-3 |
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동영상
CoolSiC™ 개별 MOSFET 세대 2
높은 에너지 효율성을 보장하는 전력 변환 솔루션은 탈탄소화 목표를 달성하고 무제한의 친환경 에너지를 확보하는 데 핵심입니다. SiC 기반 전력 전자 장치는 많은 경우 Si 대안에 비해 에너지 효율을 향상합니다. 전 세계적으로 청정 에너지 구현과 에너지 효율성을 가속화하기 위해 Infineon은 2세대 CoolSiC™ MOSFET을 출시합니다.
Infineon CoolSiC™ MOSFET 이산 650V G2 소개
Infineon의 2세대CoolSiC™ MOSFET 이산 650V에 익숙해지고 주요 기능, 대상 응용 분야 및 이점을 파악하며 다른 기술과 비교하여 포지셔닝을 이해하세요.