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    Infineon EasyPIM™ IGBT7

    TRENCHSTOP™ IGBT7 기술이 탑재된 이지 모듈은 산업용 드라이브 애플리케이션에 맞추어 제작되었습니다.

    Infineon의 이지 모듈은 현재 새로운 TRENCHSTOP™ IGBT7 기술과 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7, EC7 다이오드를 갖추고 있습니다. 최신 마이크로패턴 트렌치 기술에 기반한 이 기술들은 손실을 크게 감소시키고 높은 수준의 제어력을 제공합니다.

    새로운 칩은 산업용 드라이브 애플리케이션에 특화되어 정적 손실이 더 낮고 전력 밀도는 더 높으며 스위칭은 더욱 부드럽습니다. 또한 칩이 동작하는 최고 허용 온도를 175°C까지 높임으로써 전력 밀도가 크게 증가하였습니다.

    TRENCHSTOP™ IGBT7 주요 장점은 다음과 같습니다.

    • 낮은 손실 )새로운 칩 기술은 최적화된 낮은 Vce(sat)으로 손실이 매우 낮습니다)
    • 2-8kV/µs에 최적화된 dv/dt (드라이브 애플리케이션에 맞춤)
    • 더욱 탁월한 성능에 맞춘 단락 회로 (드라이브 애플리케이션의 경우을 위해 8µs @150°C로 충분)
    • 애플리케이션 조건에 최적화된 더욱 간편한 게이트 드라이브, 게이트 저항기 만으로 충분한 제어 가능
    • 최대 175°C까지 높아진 Tvjop로 전력 밀도 증가

    TRENCHSTOP™ IGBT7의 기술적 장점

    동급 최강 Vce(sat)
    동급 최강 VCE(sat)
    과부하 시 175°C에서 동작
    과부하 시 175°C에서 동작
    드라이브 애플리케이션에 맞춘 제어력 개선
    드라이브 애플리케이션에 맞춘 제어력 개선
    더 높은 전력 밀도 - 35% 더 작은 패키지에서 동일한 전력
    더 높은 전력 밀도 - 35% 더 작은 패키지에서 동일한 전력

    TRENCHSTOP™ IGBT7이 장착된 새로운 이지 모듈은 개선된 성능과 손쉬운 적기 출시 설계를 제공하며 산업용 드라이브의 시스템 비용을 절갑합니다. 이는 새로운 산업용 드라이브 설계 시장에서 최고의 선택입니다.

    Infineon은 10A, 25A, 100A에서 TRENCHSTOP™ IGBT7이 장착된 최초 리드타입 EasyPIM™ 및 EasyPACK™을 출시합니다.

    FP10R12W1T7_B11

    FP10R12W1T7_B11

    IGBT 어레이 & 모듈 트랜지스터, 1.2 kV, 모듈

    구매하기
    FP25R12W1T7_B11

    FP25R12W1T7_B11

    IGBT 어레이 & 모듈 트랜지스터, 6 N Channel, 25A, 1.6V, 1.2kV, 모듈

    구매하기
    FS100R12W2T7_B11

    FS100R12W2T7_B11

    IGBT 어레이 & 모듈 트랜지스터, 1.2 kV, 모듈

    구매하기

    추가 정보

    PCIM 비디오

    애플리케이션 노트

    상품

    TRENCHSTOP™ IGBT 7 일반 정보

    권장 게이트 드라이버

    모든 스위치에 드라이버 IC가 필요하다는 점에서 Infineon은 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7이 장착된 이지 모듈에 적합한 다양한 종류의 게이트 드라이버 IC를 제공합니다.

    Infineon이 추천하는 FP10R12W1T7_B11 및 FP25R12W1T7_B11용 제품:

    #모델
    IR2214SSIR2214SS구매하기
    1EDC30I12MH1EDC30I12MH구매하기
    2ED020I12-F22ED020I12-F2구매하기

    FS100R12W2T7의 경우 다음 게이트 드라이버를 살펴보십시오.

    #모델
    IR2214SSIR2214SS구매하기
    1EDI60I12AF1EDI60I12AF구매하기
    1ED020I12-B21ED020I12-B2구매하기
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