차세대 에너지 효율성을 위한 CoolSiC™
다양한 응용 분야에 적합
Infineon Technologies – CoolSiC™ 제품 탁월한 신뢰성, 다양성 및 시스템 이점. Infineon의 SiC 기술!
Infineon은 20년 이상의 실리콘 카바이드(SiC) 기술 개발 역사를 갖는 선도적인 전력 공급업체로서 더욱 스마트하고 더욱 효율적인 에너지 생산, 전송, 소비라는 니즈를 충족할 준비가 되어 있습니다. Infineon의 전문가들은 시스템 복잡성을 줄이기 위해 무엇이 필요한지 이해하고 있으며, 이를 통해 중-고 전력 시스템에서 시스템 비용과 크기를 줄일 수 있습니다.
Infineon™의 광범위한 제품 포트폴리오를 통해 최고 품질 표준을 충족하고 긴 시스템 수명과 신뢰성을 보장합니다. Infineon은 완전한 공급망을 보유하고 있으며 Si, GaN, SiC에 대한 편견 없는 설계 지원을 제공합니다. 신뢰할 수 있는 SiC 공급업체인 Infineon을 선택하고 개별 설계 및 시스템 요구 사항에 관계없이 신뢰할 수 있는 혁명의 일부가 되세요.
실리콘 카바이드 CoolSiC™ MOSFET 모듈
Infineon의 CoolSiC™ MOSFET 전원 모듈 제품군은 인버터 설계자가 이전에는 볼 수 없었던 수준의 효율성과 전력 밀도를 실현할 수 있는 새로운 기회를 열어줍니다. 당사 모듈은 실리콘 카바이드(SiC) 반도체의 성능을 활용하여 작동 온도와 스위칭 주파수를 높여 전체 시스템 효율을 크게 향상시킵니다.
당사의 CoolSiC™ 실리콘 카바이드 전원 모듈은 다양한 응용 분야의 다양한 요구를 충족하도록 설계되었습니다. 52.9mOhm~1.44mOhm RDS의 다양한 토폴로지를 통해 특정 요구 사항에 맞는 완벽한 모듈을 선택할 수 있습니다. 3레벨, 하프 브리지, 포팩, 식스팩 또는 부스터 구성 등에 상관없이 당사에서는 1200V 및 2000V SiC MOSFET 모듈을 모두 제공합니다.
최첨단 트렌치 설계는 우수한 게이트 산화 신뢰성을 보장하며, 업계 최고 수준의 스위칭 및 전도 손실로 새로운 성능 표준을 제시합니다. 또한 열 전달 물질(TIM)을 사전 적용하는 옵션과 고성능 알루미늄 질화(AlN) 세라믹, EasyPACK™, EasyDUAL™ 및 62mm CoolSiC™ MOSFET 전원 모듈 등 추가 기능을 통해 RthJH의 열 성능을 한 단계 높일 수 있습니다.
차세대 고성능 시스템 성능 강화
새로운 CoolSiC™ MOSFET G2 트렌치 MOSFET이 AC-DC, DC-DC, DC-AC 등 모든 일반적인 전력 구성 방식에서 최고 품질 표준을 충족하는 동시에 새로운 차원의 SiC 성능을 구현하는 방법을 알아보세요. 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, EV 충전, 전원공급장치, 모터 드라이브 등은 Si 대안과 비교할 때 MOSFET이 추가 성능을 제공하는 많은 사례 중 하나입니다.
특징:
- 400V/650V/1,200V CoolSiC MOSFET G2
- 사용 가능한 가장 낮은 RDS(on)
- 가장 큰 제품 포트폴리오
- 독특한 견고성
CoolSiC™을 애플리케이션의 일부로 만드세요
CoolSiC™ - 고객 성공 사례
콜드 스플릿 기술
CoolSiC™ - 트렌치 기술 - 신뢰할 수 있는 혁명
CoolSiC™ - 서보 드라이브를 위한 완벽한 솔루션
서보 드라이브 애플리케이션의 CoolSiC™ MOSFET
마이크로러닝: EV 충전 애플리케이션의 CoolSiC™ MOSFET
추천 제품
SiC MOSFET 모듈 EasyDUAL™ 1B 및 2B
Infineon의 CoolSiC™ 제품 카테고리: 가장 적합한 제품 찾기
Infineon은 트렌치 기술에서 혁신적인 CoolSiC™ MOSFET을 포함한 SiC 기반 제품을 기존 Si 제품군에 지속적으로 추가하고 있습니다. 오늘날 이 회사는 초저압에서 고전압 전력 장치에 이르기까지 업계에서 가장 포괄적인 전력 포트폴리오 중 하나를 제공합니다. 가장 적합한 솔루션의 가용성을 보장하는 것 외에도 특정 애플리케이션 요구 사항을 충족하도록 SiC 기반 제품 제공을 최적화하기 위해 더 많은 노력을 기울였습니다. CoolSiC™ MOSFET 등의 초고속 스위칭 전력 트랜지스터는 절연 게이트 출력 섹션을 활용하면 더 쉽게 처리할 수 있다는 점에 착안하여, 당사의 코어리스 변압기 기술을 기반으로 완벽하게 부합하는 갈바닉 절연 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC를 고객에게 제공합니다. 최근 몇 년 동안 수백만 개의 하이브리드 모듈(고속 실리콘 기반 스위치와 CoolSiC™ 쇼트키 다이오드의 조합)을 생산하며 엄청난 노하우와 역량을 구축했으며, 기술 리더십에 더욱 기여했습니다.
CoolSiC™ MOSFETs – DISCRETES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 IMT65R022M1H | CoolSiC™ 650 V, 27 mΩ SiC-based trench MOSFET | PG-HSOF-8 |
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 IMT65R030M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 IMT65R057M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 AIMBG75R016M1HXTMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-TO263-7 |
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 AIMDQ75R016M1HXUMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-HDSOP-22 | |
 IMZ120R060M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | PG-TO247-4 |
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 IMBG120R053M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | PG-TO-263-7 |
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 IMYH200R024M1H | CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-247PLUS-4-HCC |
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 IMW120R030M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET | PG-TO247-3 |
|
 IMBF170R1K0M1 | CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-263-7 |
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CoolSiC™ MOSFETs - MODULES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 FS55MR12W1M1H_B11 | Sixpack 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY1B |
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 FS33MR12W1M1H_B11 | CoolSiC™ MOSFET sixpack module 1200 V | AG-EASY1B |
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 F3L11MR12W2M1HP_B19 | CoolSiC™ MOSFET 3-level module 1200 V | AG-EASY2B |
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 FF2MR12W3M1H_B11 | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY3B |
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 F4-11MR12W2M1HP_B76 | CoolSiC™ MOSFET fourpack module 1200 V | AG-EASY2B |
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 FF1MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB |
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 FF2MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB | |
 FF6MR12KM1H | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Module | AG-62MMHB | |
 FF3MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
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 FF4MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
EiceDRIVER™ SiC MOSFET Gate Driver ICs
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 1ED3321MC12N | 2300 V single-channel isolated gate driver with short-circuit protection, active Miller clamp and soft-off, UL 1577 & VDE 0884-11 certified | PG-DSO-16 |
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 1ED3142MU12F | 6.5 A, 3 kV (rms) single-channel isolated gate driver with separate output, UL 1577 certified, 13.6 V UVLO | PG-DSO-8 |
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 1ED3125MU12F | 10 A, 3.0 kV (rms) single-channel isolated gate driver with active Miller clamp, UL 1577 certified, 10.5 V UVLO | PG-DSO-8 | |
 2EDS9265H | Fast, robust, dual-channel, reinforced isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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 2EDF9275F | Fast, robust, dual-channel, functional isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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CoolSiC™ MOSFET – DISCRETE
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 AIKBE50N65RF5ATMA1 | Automotive Silicon-carbide (SiC) Hybrid Discrete 650 V in D2PAK-7L | PG-TO263-7 |
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 AIMBG120R040M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 40mΩ | PG-TO263-7 |
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 AIMBG120R080M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 80mΩ | PG-TO263-7 |
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 AIMZH120R010M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 8.7mΩ | PG-TO247-4 |
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 AIMZH120R020M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 20mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R030M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 30mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R040M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 40mΩ | PG-TO247-4 |
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 AIMZH120R060M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 60mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R080M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 80mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R120M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 120mΩ | PG-TO247-4 |
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 AIMZH120R160M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 160mΩ | PG-TO247-4 |
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 FS05MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/200A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FS03MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/400A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | EasyPACK™ CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V Half Bridge Module | AG-EASY1BA-3211 |
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| Part number | Description | Target applications | Key features and benefits |
|---|---|---|---|
 Mother board: EVAL_PS_SIC_DP_MAIN | EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ MOSFET 1200 V in TO-247 3-/4-pin evaluation platform (mother board) User Guide | Solutions for solar energy systems, EV charging, UPS, power supplies, motor control and drives | Features:
Benefits:
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 Daughter board: REF_PS_SIC_DP1 | REF_PS_SIC_DP1 Miller clamp function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP2 | REF_PS_SIC_DP2 Bipolar supply function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 EVAL-COOLSIC-2KVHCC | Evaluation Board as adaptable double pulse tester for 2000 V discrete CoolSiC™ MOSFETs in TO-247-4-PLUS-HCC package with compact single channel isolated gate driver EiceDRIVER™ 1ED3124MU12H1200 | Industrial | Features:
Benefits:
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 EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC | 3300 W CCM bidirectional totem-pole PFC unit using CoolSiC™ 650 V, 600 V CoolMOS™ C7, and digital control via XMC™ microcontroller | High-end server, datacenter, telecom | Features:
Benefits:
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Infineon의 Podcast4Engineers
SiC: Eva와 함께하는 실리콘 카바이드 소개
차세대 전력 반도체를 위한 혁신을 넘어 실리콘 카바이드(SiC)가 등장했습니다. SiC가 이미 EV 충전 및 광전지와 같은 많은 애플리케이션을 어떻게 변화시켰는지, 그리고 설계 엔지니어가 SiC로 전환할 때 고려해야 할 사항에 대해 Eva가 설명하는 내용을 들어보세요.
SiC: Christian을 사용한 실리콘 카바이드 소자 기술
실리콘 카바이드가 있다면 다이아몬드가 무슨 소용입니까? 최신 에피소드에서 Christian은 SiC와 다이아몬드의 공통점과 새로운 장치 기술이 SiC 설계를 더욱 발전시키는 방법을 설명합니다
SiC: Edward 및 Giuseppe가 있는 실리콘 카바이드 개별 패키지
특히 탄화규소인 경우에는 작은 패키지로 훌륭한 기능을 제공합니다! 이 에피소드에서 당사 전문가인 Edward와 Giuseppe는 SiC에 대한 다양한 개별 패키지 옵션과 미래에 기대할 수 있는 사항에 대해 이야기합니다.
SiC: Ainhoa를 사용한 실리콘 카바이드 모듈 패키지
큰 힘에는 큰 책임이 따르지만, 단지 훌륭한 디자인이 따라 올 수도 있습니다! 당사의 전문가인 Ainhoa가 전력 모듈의 SiC가 수년에 걸쳐 어떻게 발전했는지, 그리고 전력 전자장치 설계를 위한 모듈을 선택할 때 어떤 고려 사항이 중요한지에 대해 이야기하는 것을 들어보세요.
