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HUF75345G3
Power MOSFET, General Purpose, N Channel, 55 V, 75 A, 7000 µohm, TO-247, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호HUF75345G3
주문 코드1076348
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation325W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The HUF75345G3 is a N-channel Power MOSFET manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible ON-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, relay drivers, low-voltage bus switches and power management in battery-operated products.
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
- Simulation models - Temperature compensated PSPICE® & SABER™, thermal impedance SPICE & SABER
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
325W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006