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HMF04N65S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4 A, 2.4 ohm, TO-220F, Through Hole
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제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호HMF04N65S
주문 코드4295176
Product RangeMulticomp Pro N Channel SUPERFETs
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제품 정보
제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호HMF04N65S
주문 코드4295176
Product RangeMulticomp Pro N Channel SUPERFETs
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance2.4ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro N Channel SUPERFETs
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The SuperFET II MOSFET is a new high-voltage super-junction (SJ) MOSFET family that employs charge balance technology to achieve exceptionally low on-resistance and reduced gate charge performance. This technology is optimized to minimize conduction loss, deliver superior switching performance, and enhance dv/dt rate and avalanche energy handling.
- Typ. RDS(on) = 2Ω @ VGS = 10V
- 650 V @ TJ = 150°C
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 90 pF)
- 100% Avalanche Tested
애플리케이션
Telecom, DC/DC Converters, Sound & Video, Alternative Energy
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
2.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Multicomp Pro N Channel SUPERFETs
MSL
-
기술 문서 (1)
HMF04N65S의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002193