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MT53E2G32D4DE-046 WT:A
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
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제품 정보
제조업체MICRON
제조업체 부품 번호MT53E2G32D4DE-046 WT:A
주문 코드3652199
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
DRAM Density64Gbit
Memory Configuration2G x 32bit
DRAM Memory Configuration2G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
Clock Frequency2.133GHz
Memory Case StyleTFBGA
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Access Time-
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
MT53E2G32D4DE-046 WT:A의 대체 제품
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제품 개요
MT53E2G32D4DE-046 WT:A is a mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device.
- 2 Gig x 32 configuration and 64Gbit DRAM density
- 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ operating voltage
- LPDDR4 4 die count
- 468ps tCK RL = 36/40 cycle time
- 2.133GHz clock frequency
- 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x1.14mm (Ø0.40 SMD) package
- Operating temperature range from -25°C to +85°C
기술 사양
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
64Gbit
DRAM Memory Configuration
2G x 32bit
Clock Frequency
2.133GHz
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Access Time
-
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
64Gbit
Memory Configuration
2G x 32bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
Memory Case Style
TFBGA
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00153