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CSD19531Q5AT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0053 ohm, VSON, Surface Mount
제품 정보
제조업체 부품 번호CSD19531Q5AT
주문 코드3009673
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The CSD19531Q5AT is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in primary side telecom and secondary-side synchronous rectifier applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
CSD19531Q5AT의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000071