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CSD86356Q5DT
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
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제품 정보
제조업체 부품 번호CSD86356Q5DT
주문 코드2885447RL
Product RangeNexFET Series
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
On Resistance Rds(on)0.0018ohm
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel1800µohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel1800µohm
Transistor Case StyleSON
Gate Source Threshold Voltage Max1.85V
Power Dissipation Pd12W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel12W
Power Dissipation P Channel12W
Operating Temperature Max125°C
Product RangeNexFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0018ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
1800µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.85V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
12W
Product Range
NexFET Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
1800µohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SON
Power Dissipation Pd
12W
Power Dissipation N Channel
12W
Operating Temperature Max
125°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001