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ATF-54143-TR1G
RF FET Transistor, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
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제품 정보
제조업체BROADCOM
제조업체 부품 번호ATF-54143-TR1G
주문 코드1056824
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds5V
Continuous Drain Current Id120mA
Power Dissipation725mW
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
제품 개요
The ATF-54143-TR1G is a low noise enhancement mode Pseudomorphic HEMT in a surface mount plastic package. The combination of high gain, high linearity and low noise makes the HFET ideal for cellular/PCS base stations.
- Excellent uniformity in product specifications
- 800 Micron gate width
- Low noise figure
- High linearity performance
- Enhancement mode technology
애플리케이션
RF Communications
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
5V
Power Dissipation
725mW
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
120mA
Transistor Case Style
SOT-343
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00068