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ATF-55143-TR1G
RF FET Transistor, 5 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
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제품 정보
제조업체BROADCOM
제조업체 부품 번호ATF-55143-TR1G
주문 코드1056825RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds5V
Continuous Drain Current Id100mA
Power Dissipation270mW
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
ATF-55143-TR1G의 대체 제품
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제품 개요
The ATF-55143-TR1G is a 5V RF FET, low noise enhancement mode pseudomorphic HEMT in a surface technology. The combination of high gain, high linearity and low noise makes ideal for cellular sets. The system works in a frequency range of 450MHz to 6GHz.
- High linearity performance
- Single supply enhancement mode technology
- Very low noise figure
- Excellent uniformity in product specifications
- 400 Micron gate width
애플리케이션
Wireless, Consumer Electronics, Portable Devices
경고
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
5V
Power Dissipation
270mW
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
SOT-343
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006