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NCV8402ADDR2G
Power MOSFET, N Channel, SOIC
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|---|---|
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| 1000+ | ₩1,026 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NCV8402ADDR2G
주문 코드2533221RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel42V
Drain Source Voltage Vds P Channel42V
On Resistance Rds(on)0.165ohm
Continuous Drain Current Id N Channel2A
Transistor Case StyleSOIC
Continuous Drain Current Id P Channel2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.165ohm
Power Dissipation Pd1.62W
Power Dissipation N Channel1.62W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation P Channel1.62W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
42V
On Resistance Rds(on)
0.165ohm
Transistor Case Style
SOIC
Drain Source On State Resistance N Channel
0.165ohm
Power Dissipation Pd
1.62W
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
42V
Continuous Drain Current Id N Channel
2A
Continuous Drain Current Id P Channel
2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.165ohm
Power Dissipation N Channel
1.62W
Power Dissipation P Channel
1.62W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000117