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GD50HFU120C1SD
IGBT Module, Half Bridge, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Module
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|---|---|
| 1+ | ₩62,179 |
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제품 정보
제조업체STARPOWER
제조업체 부품 번호GD50HFU120C1SD
주문 코드4312702
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current82A
Collector Emitter Saturation Voltage2.9V
Power Dissipation440W
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
GD50HFU120C1SD is an IGBT power module that provides ultra switching speed as well as short circuit ruggedness. It is designed for the applications such as electronic welder, switching mode power supply and inductive heating.
- 1200V/50A 2 in one-package
- NPT IGBT technology
- 10μs short circuit capability
- Low switching losses
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- Low inductance case
- Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD
- Isolated copper baseplate using DBC technology
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
2.9V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Product Range
-
Continuous Collector Current
82A
Power Dissipation
440W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536