페이지 인쇄
IRG4BC10UDPBF
IGBT, IRG4, 8.5 A, 2.15 V, 38 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4BC10UDPBF
주문 코드1611638
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current8.5A
Collector Emitter Saturation Voltage2.15V
Power Dissipation38W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The IRG4BC10UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating up to 80kHz in hard switching, <gt/>200kHz in resonant mode. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation. IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- High efficiency
애플리케이션
Lighting, Alternative Energy, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
8.5A
Power Dissipation
38W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.15V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002041