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RJH60F0DPQ-A0#T0
IGBT, 50 A, 1.7 V, 201.6 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RJH60F0DPQ-A0#T0
주문 코드2135153
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation201.6W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The RJH60F0DPQ-A0#T0 is a 600V IGBT with high speed power switching and built in fast recovery diode in one package.
- 150°C Junction temperature
- Low collector to emitter saturation voltage
- Trench gate and thin wafer technology
- High speed switching
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
201.6W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00614