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A2TBH45M65W3-FC
Silicon Carbide MOSFET, Triple Boost, Half Bridge, N Channel, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, ACEPACK 2
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제품 정보
제조업체 부품 번호A2TBH45M65W3-FC복사
주문 코드4657002
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationTriple Boost, Half Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.072ohm
Transistor Case StyleACEPACK 2
No. of Pins30Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Triple Boost, Half Bridge
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
No. of Pins
30Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
ACEPACK 2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001