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DMC2041UFDB-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.023 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMC2041UFDB-7
주문 코드3680111RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id4.7A
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Transistor Case StyleU-DFN2020
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.4W
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
U-DFN2020
Power Dissipation Pd
1.4W
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121