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DMG4822SSDQ-13
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.016 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG4822SSDQ-13
주문 코드3944066RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.0134ohm
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd1.42W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.42W
Power Dissipation P Channel1.42W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.0134ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.42W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
10A
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
1.42W
Power Dissipation N Channel
1.42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001