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DMGD7N45SSD-13
Dual MOSFET, N Channel, 450 V, 450 V, 500 mA, 500 mA, 4 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMGD7N45SSD-13
주문 코드3944077RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel450V
Drain Source Voltage Vds450V
Drain Source Voltage Vds P Channel450V
Continuous Drain Current Id500mA
On Resistance Rds(on)3ohm
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel500mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd1.64W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.64W
Power Dissipation P Channel1.64W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
450V
Drain Source Voltage Vds P Channel
450V
On Resistance Rds(on)
3ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.64W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
450V
Continuous Drain Current Id
500mA
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
1.64W
Power Dissipation N Channel
1.64W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001