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DMHT10H032LFJ-13
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,505 |
| 10+ | ₩3,351 |
| 100+ | ₩3,013 |
| 500+ | ₩2,644 |
| 1000+ | ₩1,788 |
| 5000+ | ₩932 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMHT10H032LFJ-13
주문 코드3589313
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Continuous Drain Current Id P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Power Dissipation900mW
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN5045
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
900mW
Transistor Case Style
DFN5045
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000121