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DMN10H220LDV-7
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.222 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩462 |
| 500+ | ₩363 |
| 1000+ | ₩262 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN10H220LDV-7
주문 코드3589314RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel10.5A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Continuous Drain Current Id P Channel10.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.222ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerDI3333
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd40W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel40W
Power Dissipation P Channel40W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
10.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
10.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
10.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
40W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.222ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
PowerDI3333
Power Dissipation Pd
40W
Power Dissipation N Channel
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121