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DMP210DUDJ-7
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
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|---|---|
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMP210DUDJ-7
주문 코드3944144RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id200mA
On Resistance Rds(on)5.5ohm
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel5.5ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1.15V
Transistor Case StyleSOT-963
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd330mW
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
5.5ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
5.5ohm
Transistor Case Style
SOT-963
Power Dissipation Pd
330mW
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
200mA
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.15V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001