페이지 인쇄
ZTX605
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 1 W, 1 A, TO-92, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
1,855 재고
더 필요하세요?
1855 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,192 |
| 10+ | ₩1,378 |
| 100+ | ₩916 |
| 500+ | ₩716 |
| 1000+ | ₩608 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,192
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZTX605
주문 코드9525912
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd1W
DC Collector Current1A
RF Transistor CaseTO-92
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE2000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
ZTX605 is a NPN silicon planar medium power Darlington transistor.
- Collector-base voltage is 140V
- Collector-emitter voltage is 120V
- Emitter-base voltage is 10V
- Peak pulse current is 4A
- Continuous collector current is 1A
- Power dissipation at Tamb=25°C is 1W
- Transition frequency is 150MHz at IC=100mA, VCE=10V, f=20MHz, Tamb = 25°C
- Input capacitance is 90pF typical at VEB=500mV, f=1MHz, Tamb = 25°C
- E-line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +200°C
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
1W
RF Transistor Case
TO-92
DC Current Gain hFE
2000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
1A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000156