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ZVN4210GTA
Power MOSFET, Enhancement Mode, N Channel, 100 V, 800 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩2,130 |
| 10+ | ₩1,376 |
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| 500+ | ₩793 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZVN4210GTA
주문 코드2061499
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The ZVN4210GTA is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
애플리케이션
Power Management, Automotive, Aerospace, Defence, Military
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000112