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ZVP3306A
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 160 mA, 14 ohm, E-Line, Through Hole
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZVP3306A
주문 코드9524851
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id160mA
Drain Source On State Resistance14ohm
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
ZVP3306A is a P-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is -60V
- Continuous drain current at Tamb=25°C is -160mA
- Pulsed drain current is -1.6A
- Gate-source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 625mW
- Drain-source breakdown voltage is -60V min at ID=-1mA, VGS=0V, Tamb = 25°C
- Static drain-source on-state resistance is 14ohm max at VGS=-10V, ID=-200mA, Tamb = 25°C
- Gate-source threshold voltage is -3.5V max at ID=-1mA, VDS= VGS, Tamb = 25°C
- E-line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
160mA
Transistor Case Style
E-Line
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000165