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ZXM61P02F
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZXM61P02F
주문 코드9525297
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id900mA
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The ZXM61P02F is a P-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish terminals as per MIL-STD-202 standard. It utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed, making it ideal for high-efficiency power management applications.
- Low threshold
- Low gate drive
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Aerospace, Defence, Military, Automotive
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000066