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ZXMN4A06GTA
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,833 |
| 10+ | ₩1,215 |
| 100+ | ₩1,131 |
| 500+ | ₩1,047 |
| 1000+ | ₩1,013 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZXMN4A06GTA
주문 코드7564910
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3.9W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The ZXMN4A06GTA is a 40V N-channel Enhancement Mode MOSFET designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- AEC-Q101 qualified
- UL94V-0 Flammability rating
애플리케이션
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Aerospace, Defence, Military
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454