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FDU8580
MOSFET, N, I-PAK
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDU8580
주문 코드1324815
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation49.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
49.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002