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FDV304P
MOSFET, P DIGITAL REEL 3K
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDV304P
주문 코드1562554
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id460mA
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.7V
Gate Source Threshold Voltage Max860mV
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
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제품 개요
The FDV303P is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V. FDV303N is designed for battery power applications such as notebook, cellular phones and computers.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Drain to source voltage (Vds) of -25V
- Gate to source voltage of -8V
- Continuous drain current (Id) of -460mA
- Power dissipation (pd) of 350mW
- Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
460mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
860mV
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.099