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HGT1S20N60A4S9A
IGBT, D2-PAK, 600V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호HGT1S20N60A4S9A
주문 코드1324847
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current70A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation290W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
기술 사양
Continuous Collector Current
70A
Power Dissipation
290W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00143