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G3F09MT12G3T
Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Channel, 1.2 kV, 9300 µohm, Module
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제품 정보
제조업체GENESIC
제조업체 부품 번호G3F09MT12G3T
주문 코드4716173
Product RangeSiCPAK G Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationThree Level Inverter
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id-
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance9300µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max-
Product RangeSiCPAK G Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Three Level Inverter
Continuous Drain Current Id
-
Drain Source On State Resistance
9300µohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
SiCPAK G Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001