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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BAR81WH6327XTSA1복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드2480904
Product RangeBAR81
AKABAR 81W H6327, SP000743450
기술 데이터 시트
Diode ConfigurationSingle
Resistance @ If1ohm
Reverse Voltage30V
Diode Case StyleSOT-343
No. of Pins4 Pin
Diode Capacitance0.9pF
Forward Current100mA
Operating Temperature Max125°C
Forward Voltage1V
Power Dissipation100mW
Diode MountingSurface Mount
Product RangeBAR81
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BAR 81W H6327 is a Silicon RF Switching Diode with shunt-diode configuration. It is designed for use in shunt configuration in high performance RF switches.
- High shunt signal isolation
- Low shunt insertion loss
- Optimized for short - open transformation using λ/4 lines
- -55 to 125°C Operating temperature range
애플리케이션
RF Communications, Power Management, Industrial
기술 사양
Diode Configuration
Single
Reverse Voltage
30V
No. of Pins
4 Pin
Forward Current
100mA
Forward Voltage
1V
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Resistance @ If
1ohm
Diode Case Style
SOT-343
Diode Capacitance
0.9pF
Operating Temperature Max
125°C
Power Dissipation
100mW
Product Range
BAR81
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000048