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BFP196E6327HTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BFP196E6327HTSA1
주문 코드2443518RL
AKABFP 196 E6327, SP000011027
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation250mW
Continuous Collector Current65mA
Transistor Case StyleSOT-143
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
NPN silicon RF transistor for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA.
- Power amplifier for DECT and PCN systems
- fT = 7.5GHz, F = 1.3dB at 900MHz
- Qualified according AEC Q101
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
65mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
250mW
Transistor Case Style
SOT-143
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000907